新思科技首度在台积电N2P节点完成LPDDR6 IP验证

来源：科技新报 2025-10-21 08:38:15

外媒报道，新思科技（Synopsys）宣布旗下LPDDR6内存接口IP已于台积电N2P制程完成芯片上机测试（silicon bring-up），象征新一代低功耗行动内存技术迈入关键验证阶段。

该设计在测试中实现86 GB/s带宽，符合国际半导体标准协会（JEDEC）最新LPDDR6规范，显示此技术已能在先进制程环境中稳定运作。

新思科技主要提供芯片设计所需的模拟、验证与授权模块。此次完成硅测的 LPDDR6 IP 包含控制器（controller）与物理层接口（PHY interface）两部分。控制器负责JEDEC协议与时序管理，而PHY则建构于台积电N2P的金属堆栈与I/O库之上，确保在高频作下仍维持低功耗与讯号完整性。

所谓「silicon bring-up」，是指芯片设计在完成软体模拟后，首次于实体晶圆上上电验证的阶段。这代表IP模组的电路架构已经进入实体测试，但尚未整合至完整系统芯片中。新思科技表示，此次验证结果显示LPDDR6控制器与PHY在N2P制程上能达到预期性能，为后续客户导入SoC设计奠定基础。

目前市场主流仍以 LPDDR5/LPDDR5X 为主要规格，应用于智能手机与笔电平台。这些内存颗粒由三星、SK海力士、美光等厂商以自家制程生产，强调高速与低功耗。 LPDDR6 则是由国际半导体标准协会JEDEC制定的新一代行动内存标准，传输速率最高可达 14.4Gb/s，能大幅提升 AI 手机与边缘设备的数据处理效率。

根据 Synopsys 说法，该 LPDDR6 IP 可支持每脚位速率 10.667Gb/s，理论峰值可达 14.4Gb/s（约 115GB/s 带宽），比 LPDDR5 世代提升超过 30%。凭藉台积电N2P制程的高密度与低功耗特性，新技术可望应用于AI手机、边缘运算装置与超轻量笔电，成为支撑装置端AI（on-device AI）运算的新基础。

业界观察指出，新思科技与台积电在N2P节点上完成LPDDR6 IP验证，象征SoC厂商将能更快导入新一代内存标准。未来在系统接口兼容性与验证流程上，台积电与 EDA 业者的主导力将明显提升。随着SoC制程与控制IP若以台积电为主流，存储器厂必须确保自家LPDDR6颗粒能完全兼容，测试与认证成本也将提高。

目前LPDDR6技术仍处于IP验证阶段，预计2026年正式导入商用平台。随着新思科技与台积电持续扩大先进制程IP布局，行动存储器标准正迈向10Gb/s时代，而晶圆代工与EDA生态在未来行动运算的影响力，将进一步超越传统存储器厂，成为驱动新世代AI平台的关键力量。

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